XX. mendeko Euskararen Corpus estatistikoa
Testuingurua
(...) horrekin -196ampdeg; C-tan lau puntuko makurdura-saiakuntzak egin ondoren,
Haustura =tIn= partikuletan hasi zen eta mikroegitura xeheagoa lortzeak ez zituen tentsio kritikoaren balioak hobetu.
Hau dena kontutan hartuta, 4.4. taulan azaltzen diren altzairu mikroaleatuetan -196ampdeg; C-tan ale-mugak ez duela eraginik haustura hauskorrean baiezta daiteke.
Beraz, 4.34. irudiko energi balioak
Orduan, haustura hauskorraren fase kritikoa bigarrena da, hau da, mikropitzaduraren hedapena partikula/matrize muga zeharkatuz.
Mikropitzaduraren hedapenean, esfoliazio-planoaren eta kanpoko tentsio makroskopikoaren arteko erlazioa ere kontutan hartu behar da.
Mikropitzadura (partikularen hausturaren bidez sortuta) inguratzen duten matrizearen {100} esfoliazio-planoak ez baldin badaude ondo orientaturik, mikropitzadurak muga zeharkatzea askoz zailagoa izango da.
4.4. taulan lehenengo esfoliazioaren eta hozka-planoaren arteko ampszlig; angelua adierazita dago.
% 90 kasuetan ampszlig; angeluaren balioa 17ampdeg; baino txikiagoa da.
Beraz, datu horien arabera, desorientazioa txikia denean (
Laburbilduz, partikularen haustura ez da nahikoa izaten eta mugaren zeharkatzea eta ferrita-aleen
Material-mota askorentzat, zailtasuna behe-tenperaturetan eta hozkadun probeten bitartez neurtzen denean, esfoliazioa 2. faseak kontrolatuta dagoela [17, 23, 25 eta 36] eta prozesua tentsio maximoaren balioak kontrolatzen duela kontsideratzen da.
Hala ere, zenbait kasutan haustura hauskorrak beste portaera batzuk agertzen ditu.
Batzuetan, tentsio maximoaren ordez, deformazio plastikoak ere eragin handia izan dezake esfoliazioaren hasieran.
Ikuspuntu hau 4.6. atalean aztertuko da.
Gainera, zailtasuna neurtzeko pitzadura zorrotzak dituzten pobetak (hozkadun probeten ordez) erabiltzen direnean, haustura hauskorrean azaltzen diren mikromekanismoak ez dira beti atal honetan adierazi diren bezalakoak.
Portaera hori 4.7. atalean aztertuko da.